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太阳能电池

太阳能聚合物电池的性能参数

太阳能电池英文简称HIT电池,太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,又称为“太阳能芯片”或“光电池”,它只要被满足一定照度条件的光照度,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏(Photovoltaic，缩写为PV)，简称光伏，既然如此，那太阳能聚合物电池的性能参数跟什么有关呢？

HIT电池是什么？

HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-laye的缩写，意为本征薄膜异质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-si膜（膜厚5~10nm）和背面侧的i/n型a-si膜（膜厚5~10nm）夹住单结晶Si片的来构成的.HIT电池是日本Sanyo公司发明的异质结电池的一种，其特点是再发射极和背面高浓度掺杂层与基片之间添加了一层本征非晶硅层。 HIT电池发展历史 >1968年，第一个a-Si/c-Si异质结器件。 >1974年，第一个氢化非晶硅器件。（a- Si:H，H钝化，减少缺陷） >1983年，第一个太阳能电池。 >2010年，转换效率达到23%。

HIT 电池的制造工艺

HIT电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求说沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积本征及掺杂的a-Si:H膜，同时热丝化学气相沉积发(HWCVD)制备a-Si:H法也被认为很有前景。

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